سامسونگ ظاهراً در تولید تراشه‌های ۲ نانومتری به بازده ۴۰ درصد رسیده؛ اگزینوس ۲۶۰۰ در راه است؟

ظاهراً زمان‌بندی تولید انبوه اگزینوس ۲۶۰۰، اولین تراشه‌ای که بر اساس لیتوگرافی ۲ نانومتری سامسونگ ساخته می‌شود، برای ماه نوامبر (آبان و آذر) نهایی شده است.

به گزارش منبع کره‌ای، تصمیم سامسونگ تنها چهار ماه پس از انتصاب هان جین-مان به‌عنوان رئیس بخش کسب‌وکار Foundry (تولید قراردادی) اتخاذ می‌شود. هان پس‌از شروع فعالیتش، در پیامی بر بهبود بازده تولید تأکید کرده بود و اکنون به‌نظر می‌رسد تلاش‌هایش به بار نشسته‌اند.

هان پس‌از به‌دست‌گرفتن هدایت بخش Foundry، وضعیت عملیاتی تیم اختصاصی فرایند ۲ نانومتری موجود و روش‌های مدیریت خطوط تولید را مورد بازبینی قرار داد.

هان برای ارتقای رقابت‌پذیری شرکت، ابتدا استراتژی فروش را اصلاح کرد. مدیر جدید سامسونگ شرکای شرکت را در بازارهای متنوعی نظیر چین، هند و اروپا گسترش داد تا سفارش‌ها برای لیتوگرافی‌های بالغ (قدیمی‌تر)، کاهش هزینه‌های ثابت لازم برای فعال‌نگه‌داشتن کارخانه‌های تولید و در نتیجه، تضمین قیمت رقابتی برای فرایندهای پیشرفته میسر شود.

سامسونگ در لیتوگرافی ۲ نانومتری خود از فناوری «گیت در هر طرف» (GAA) بهره می‌گیرد. این ساختار که در آن ترانزیستورِ حامل جریان از چهار طرف احاطه می‌شود، تکنولوژی پیشرفته‌تری نسبت‌به FinFET به حساب می‌آید.

ساختار GAA با افزایش عملکرد تراشه و کاهش هم‌زمان مصرف انرژی، برای تولید تراشه‌های پرقدرت مزیت دارد. غول فناوری کره‌ای پیش‌تر به‌عنوان اولین شرکت در جهان موفق به تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری با فناوری GAA شده بود؛ اما بازده پایین، مانع تولید انبوه شد.

باتوجه‌به تعیین ماه نوامبر به‌عنوان زمان آغاز تولید انبوه اگزینوس ۲۶۰۰، نگاه‌ها به این موضوع معطوف خواهد شد که آیا سامسونگ می‌تواند شتاب لازم برای جهش دوباره در کسب‌وکار تراشه‌سازی خود را ایجاد کند یا خیر.

اگر اگزینوس ۲۶۰۰ بدون مشکل در گلکسی S26 استفاده شود، می‌تواند وضعیت بخش تراشه‌های سامسونگ را بهبود ببخشد.