سامسونگ با راهکاری نوآورانه از داغشدن بیشازحد پردازنده جدید اگزینوس جلوگیری میکند
سامسونگ با راهکاری نوآورانه از داغشدن بیشازحد پردازنده جدید اگزینوس جلوگیری میکند
پردازندههای اگزینوس سامسونگ از دیرباز بهدلیل مشکلات گرمایی و عملکرد ضعیف در حفظ عملکرد پایدار، مورد انتقاد قرار گرفتهاند. این مشکلات، در کنار قدرت پردازشی کمتر نسبت به رقبا، باعث شده است تا پردازندههای اگزینوس درمقایسه با اسنپدراگون کمتر موردتوجه قرار بگیرند. بااین حال، سامسونگ تصمیم دارد با ارائهی راهکار نوآورانه این مشکل را حل کند.
بر اساس گزارش ET News، سامسونگ فناوری جدیدی به نام HPB (Heat Pass Block) معرفی کرده است که داغشدن پردازندهها به کمک آن کنترل میشود. این فناوری شامل هیتسینک مسی میشود که بهصورت غیرفعال در داخل تراشه قرار میگیرد و به بهبود دفع حرارت کمک میکند. گفته میشود این فناوری باعث بهبود ۳۰ درصدی کارایی حرارتی در اگزینوس ۲۶۰۰ نسبتبه اگزینوس ۲۵۰۰ شده است.
فناوری HPB که اولینبار در موبایلها به کار گرفته میشود، عملکرد پردازنده را برای مدت طولانی حفظ و از افت ناگهانی کارایی جلوگیری میکند. سامسونگ به این فناوری اعتماد دارد و به همین دلیل قصد دارد آن را به سایر شرکتها ازجمله اپل و کوالکام پیشنهاد دهد. اطلاعات فاششده نشان میدهد که اگزینوس ۲۶۰۰ احتمالاً اولین پردازندهی ۲ نانومتری موبایل خواهد بود و ویژگیهایی مثل سیپییو ۱۰هستهای و گرافیک مبتنیبر فناوری انویدیا داشته باشد.
سامسونگ درحال حاضر جزئیات دقیق اگزینوس ۲۶۰۰ را منتشر نکرده است. درعین حال، این پردازنده احتمالاً از رقبای خود مانند اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ پیشی میگیرد و باتوجه به بهبودهای صورت گرفته، قادر به رقابت با تراشههای ۲ نانومتری TSMC خواهد بود. این پیشرفتها میتواند سامسونگ را در موقعیت بهتری برای جذب مشتریان جدید قرار دهد.
درنهایت باتوجه به شایعات مبنیبر همکاری کوالکام با سامسونگ برای استفاده از فرایند ساخت ۲ نانومتری و امکان همکاری اپل با سامسونگ در تولید پردازندههای آینده، این تکنولوژی نوآورانه میتواند نقش مهمی در تغییر معادلات رقابت در بازار پردازندهها ایفا کند.
