کشف وضعیت مغناطیسی جدید، راهی به سوی حافظه‌های سریع‌تر و فشرده‌تر
کشف وضعیت مغناطیسی جدید، راهی به سوی حافظه‌های سریع‌تر و فشرده‌تر
آنها نشان داده‌اند که یک ماده اکسیدی معمولی، وقتی به‌طور دقیق طراحی شود، می‌تواند وضعیت مغناطیسی نادری را از خود نشان دهد که ویژگی‌های بهترین‌های دو دنیای متضاد را در بر می‌گیرد. این یافته می‌تواند راهی به سوی حافظه‌های سریع‌تر، فشرده‌تر و قابل‌اعتمادتر باشد.
به گزارش بیکینگ و به نقل از Interesting Engineering، گفته می‌شود که تیم مشترک از موسسه ملی علم مواد (NIMS)، دانشگاه توکیو، موسسه فناوری کیوتو و دانشگاه توهوکو با استفاده از فیلم‌های نازک دی‌اکسید روثنیوم (RuO₂) نشان داده‌اند که این ماده می‌تواند آلترو مغناطیسیته، یک کلاس جدید و بنیادی از مغناطیس، را به نمایش بگذارد. این ویژگی از نظر مغناطیسی با فرومغناطیس و آنتی‌فرومغناطیس تفاوت دارد.
آلترو مغناطیس‌ها مانند آنتی‌فرومغناطیس‌ها هیچ مغناطیس خالصی ندارند، اما هنوز امکان خواندن سیگنال‌های وابسته به چرخش از طریق برق را فراهم می‌کنند. این ترکیب غیرمعمول باعث توجه بیشتر پژوهشگران به این موضوع در تحقیقات اسپینترونیک شده است، اگرچه شواهد آزمایشی در مواد واقعی تا پیش از این متناقض بود.
گفتنی است که یکی از دلایل نتایج متناقض، کیفیت مواد بوده است. اگرچه RuO₂ به‌طور نظری پیش‌بینی شده بود که می‌تواند آلترو مغناطیسیته را نمایش دهد، اما ساخت نمونه‌های تمیز و یکدست برای مشاهده این ویژگی دشوار بود.
پژوهشگران برای غلبه بر این مشکل، فیلم‌های نازک RuO₂ را با جهت‌گیری کریستالوگرافی یکسان روی زیرلایه‌های یاقوتی رشد دادند.
این نتایج نشان می‌دهند که کنترل جهت‌گیری کریستالوگرافی برای آشکارسازی و استفاده از آلترو مغناطیسیته در فیلم‌های نازک RuO₂ حیاتی است. پژوهشگران امیدوارند که با استفاده از این ویژگی‌ها، به توسعه دستگاه‌های حافظه‌ای سریع‌تر و فشرده‌تر دست یابند.
