سامسونگ با راهکاری جدید، مشکل گرمای پردازنده‌های اگزینوس را حل می‌کند

تراشه‌های اختصاصی سامسونگ اغلب به‌دلیل مشکلاتی مانند داغ‌شدن بیش‌ازحد و مصرف انرژی بالا، هدف انتقاد قرار می‌گیرند؛ اما غول فناوری کره‌ای در چند سال گذشته تا حد زیادی این چالش‌ها را برطرف کرده است.

اگزینوس ۲۶۰۰ از فناوری جدیدی به نام Heat Path Block یا HPB برای دفع بهتر گرما بهره می‌برد و اکنون به‌نظر می‌رسد فناوری دیگری برای بهبود این فرایند در راه است.

تراشه‌های فعلی اگزینوس از ساختار پکیجینگ FOWLP استفاده می‌کنند که در آن، پایانه‌های ورودی و خروجی برای کاهش تولید گرما، بیرون از تراشه قرار می‌گیرند. به‌علاوه، فناوری HPB که یک لایه‌ی نازک مس برای دفع سریع‌تر حرارت پردازنده است، در این تراشه‌ها به کار گرفته می‌شود؛ اما ازآنجاکه رم و HPB هر دو روی پردازنده لحیم شده‌اند، HPB فقط گرمای پردازنده را دفع می‌کند و تأثیری بر دمای رم ندارد.

ظاهراً سامسونگ قصد دارد در تراشه‌های آینده‌ی اگزینوس از ساختار پکیجینگ «کنار هم» استفاده کند. در این ساختار، رم و پردازنده در کنار یکدیگر قرار می‌گیرند و لایه‌ی HPB روی هر دوی آن‌ها کشیده می‌شود. بدین‌ترتیب، HPB می‌تواند گرمای تولیدشده از پردازنده و رم را به‌سرعت دفع کند. همین طراحی باعث می‌شود کل تراشه از نظر عمودی باریک‌تر و برای استفاده در گوشی‌های هوشمند ظریف، مناسب‌تر شود.

ساختار SbS یک ضعف دارد. رم و پردازنده کنار هم قرار می‌گیرند و سطح افقی پکیج افزایش می‌یابد؛ درحالی‌که ارتفاع عمودی کم می‌شود. اگر تولیدکنندگان گوشی (مانند بخش موبایل خود سامسونگ) مشکلی با افزایش مساحت پکیج نداشته باشند، بخش تراشه‌سازی این شرکت می‌تواند در میان‌مدت و بلندمدت از ساختار SbS در تمام تراشه‌های اگزینوس استفاده کند.

احتمال دارد تراشه‌های اگزینوس با ساختار پکیجینگ SbS، به‌دلیل نیاز بیشتر به قطعات باریک، ابتدا در گوشی‌های سری گلکسی زد استفاده شود.