دستاورد جدید سامسونگ می‌تواند آینده تراشه‌های حافظه را تغییر دهد

سامسونگ به‌عنوان یکی از بازیگران اصلی بازار جهانی تراشه‌های حافظه، برای حفظ جایگاه خود سرمایه‌گذاری سنگینی روی توسعه‌‌ی فناوری‌های جدید انجام می‌دهد.

در همین راستا، پژوهشگران سامسونگ از دستاورد مهمی رونمایی کردند؛ فناوری تازه‌ای که مصرف انرژی را به‌شکل محسوسی کاهش می‌دهد و ظرفیت تراشه‌های حافظه را افزایش می‌دهد.

سامسونگ می گوید فناوری جدیدش بر پایه‌ ترانزیستورهای FeFET توسعه یافته و با وجود افزایش ظرفیت، نیازی به توان بیشتر ندارد.

حافظه‌‌های مبتنی‌بر FeFET که با ماده‌‌ی فروالکتریک ساخته شده‌اند تا ۹۶ درصد مصرف انرژی را در ساختار رشته‌ای نسبت‌به حافظه‌های NAND متداول کاهش می‌دهند. چنین کاهشی نشان می‌دهد تراشه‌ها می‌توانند اطلاعات بیشتری را بدون افزایش مصرف برق ذخیره کنند؛ قابلیتی که برای دستگاه‌هایی با محدودیت انرژی، از جمله موبایل‌ها، تجهیزات محاسباتی و سامانه‌های هوش مصنوعی اهمیت زیادی دارد.

فناوری جدید سامسونگ یکی از محدودیت‌های بنیادی حافظه‌های NAND را هدف قرار می‌دهد؛ جایی که کاهش توان باعث کاهش ظرفیت می‌شود و افزایش ظرفیت، افزایش توان را می‌طلبد. این پروژه هنوز در مرحله‌‌ی تحقیقاتی است؛ اما رسانه‌ای‌شدنش از سوی سامسونگ نشانه‌ای محسوب می‌شود از برنامه‌‌ی احتمالی برای استفاده‌‌ی تجاری در آینده.

با توجه به رشد شدید تقاضا برای محصولات حافظه و ورود بازار به دوره‌‌ی جهش به‌‌دلیل نیاز رو‌به‌افزایش تولیدکنندگان تراشه‌‌های هوش مصنوعی، توسعه‌‌ی راهکارهایی با مصرف پایین‌تر و چگالی بالاتر بیش از هر زمان دیگری ضروری شده است.