آی‌بی‌ام با تراشه ۰٫۷ نانومتری تاریخ‌ساز شد؛ آغاز عصر نیمه‌رساناهای زیر یک نانومتر
آی‌بی‌ام با تراشه ۰٫۷ نانومتری تاریخ‌ساز شد؛ آغاز عصر نیمه‌رساناهای زیر یک نانومتر
گفتنی است این تراشه تقریباً ۱۰۰ میلیارد ترانزیستور را در قطعی به اندازه ناخن انگشت جای می‌دهد که تقریباً دو برابر چگالی ترانزیستور تراشه ۲ نانومتری آی‌بی‌ام در سال ۲۰۲۱ است.
به گزارش بیکینگ و به نقل از Interesting Engineering، بر این اساس، فناوری جدید می‌تواند عملکردی تا ۵۰ درصد بهتر یا بازده انرژی تا ۷۰ درصد بیشتر نسبت به تراشه‌های گره ۲ نانومتری ارائه دهد.
در قلب این دستاورد، طراحی جدید ترانزیستوری به نام «نانواستک» قرار دارد که به گفتهٔ آی‌بی‌ام، نخستین معماری مبتنی بر نانوصفحه سه‌بعدی در صنعت محسوب می‌شود.
برخلاف چیدمان‌های متداول ترانزیستور، نانواستک ترانزیستورها را به صورت عمودی روی هم و پله‌ای قرار می‌دهد که امکان ادغام اجزای بیشتر در فضای یکسان را فراهم می‌کند.
این طراحی همچنین امکان استفاده از مواد مختلف در لایه‌های جداگانه را فراهم می‌آورد و به مهندسان کمک می‌کند عملکرد و مصرف انرژی را به طور مستقل بهینه‌سازی کنند.
جی گامبتا، مدیر پژوهش‌های آی‌بی‌ام، در این باره گفت: «آخرین دستاورد تراشه آی‌بی‌ام لحظه‌ای تاریخی در محاسبات است که فناوری را فراتر از عصر نانومتر به مقیاس اتم‌ها می‌برد».
گفتنی است پژوهشگران با اتصال دی‌الکتریک فوق‌نازک در یکپارچه‌سازی سی‌ام‌او‌اس، نمایش مهندسی کانال دوگانه و عملکرد معکوس‌کنندهٔ CMOS، صحت معماری جدید را تأیید کردند.
فناوری جدید همچنین کاهش ۴۰ درصدی در اندازه سلول اس‌رام را نشان داد که می‌تواند به سازندگان تراشه در ساخت پردازنده‌های متراکم‌تر و کارآمدتر کمک کند.
آی‌بی‌ام معتقد است طراحی نانواستک می‌تواند از مقیاس‌پذیری نیمه‌رسانا دست‌کم به‌مدت یک دههٔ دیگر پشتیبانی کند.
