دسته سوم مغناطیس: انقلابی در طراحی حافظههای مغناطیسی و مواد ابررسانا
دسته سوم مغناطیس: انقلابی در طراحی حافظههای مغناطیسی و مواد ابررسانا
پژوهشگرها به اولین شواهد قطعی از دستهی سوم مغناطیس موسوم به آلترمغناطیس دست یافتهاند. این یافته، میتواند انقلابی در زمینهی طراحی دستگاههای پرسرعت حافظهی مغناطیسی باشد و همچنین قطعهی پازل گمشده در ساخت مواد ابررسانای بهتر را پیدا کند.الیور امین، نویسندهی مطالعه و پژوهشگر پسادکترا در دانشگاه ناتینگهام بریتانیا به لایوساینس گفت:ما قبلا دو نوع خاصیت مغناطیسی اثباتشده داشتیم. فرومغناطیس که طی آن گشتاورهای مغناطیسی که میتوانید آنها را مانند فلشهای کوچک قطبنما در مقیاس اتمی تصور کنید، همه در یک جهت قرار دارند و آنتیفرومغناطیس که در آن گشتاورهای مغناطیسی مجاور در جهت مخالف قرار میگیرند و میتوانید آن را شبیه یک صفحه شطرنج از کاشیهای متناوب سفید و سیاه درنظر بگیرید.اسپینهای الکترون درون جریان الکتریکی باید در یکی از دو جهت باشند و میتوانند و با این گشتاورهای مغناطیسی یا در جهت مخالف آنها برای ذخیره یا حمل اطلاعات هماهنگ شوند و به این ترتیب اساس دستگاههای حافظهی مغناطیسی را تشکیل دهند.کپی لینکشکل جدیدی از مغناطیسمواد آلترمغناطیسی که برای اولین بار در سال ۲۰۲۲ نظریهپردازی شدند، ساختاری بینابین دارند؛ مانند یک ماده ضدفرومغناطیسی، هر گشتاور مغناطیسی واحد در جهت مخالف مجاور خود قرار میگیرد؛ اما هر واحد نسبت به این اتم مغناطیسی مجاور کمی پیچ خورده است و در نتیجه خواص فرومغناطیسمانندی دارد.بنابراین آلترمغناطیسها، بهترین خواص مواد فرومغناطیسی و ضدفرومغناطیسی را با یکدیگر ترکیب میکنند. آلفرد دال دین، از نویسندگان پژوهش و دانشجوی دکترا در دانشگاه ناتینگهام میگوید:مزایای فرومغناطیس این است که ما یک روش آسان برای خواندن و نوشتن حافظه با استفاده از این دامنههای بالا یا پائین داریم؛ اما از آنجا که این مواد دارای خاصیت مغناطیسی خالص هستند، اطلاعات با پاک کردن آهنربای روی آن به آسانی از بین میروند.
